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（本文から引用）

東大と産総研、ＳＳＤ書き込み高速化−強誘電体ＮＡＮＤフラッシュメモリー 　東京大学大学院の竹内健電気系工学専攻准教授と産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長は、不揮発性ページバッファーを備えた強誘電体ＮＡＮＤフラッシュメモリーを共同開発し、同メモリーを搭載したソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）で書き込みを従来比２倍に高速化することに成功した。書き込み中に電源が切れても、書き込み対象のデータの消失を防ぐ。５年後をめどに実用化を目指す。「ＶＬＳＩ回路シンポジウム」で１６日発表する。 　今回、バッチ・ライト・アルゴリズムと不揮発性ページバッファーの新技術を開発したのがミソ。バッチ・ライト・アルゴリズムにより、強誘電体フラッシュ内のキャッシュメモリーにページサイズ分のデータを格納してから、一括してメモリーに書き込む。この結果、ＳＳＤの書き込みを従来比約２倍高速化できる。 （掲載日 2009年06月16日）この記事の関連キーワード {myDatabase::word} 本コンテンツをご覧いただくには最新のAdobe Flash Playerが必要となります。 お持ちでない方は、下のバナーよりダウ...

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